H5TC4G63AFR-PBJ vs H5TC4G63AFR-PBI 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5TC4G63AFR-PBJ 제조: SK hynix 및 H5TC4G63AFR-PBI 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5TC4G63AFR-PBJ | H5TC4G63AFR-PBI |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | Obsolete |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $7.50 | $6.50 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 메모리 크기 | 4 Gb (256M x 16) | — |
| 공급 전압 | 1.35 V | 1.35 V |
| 패키지 | 96-ball TFBGA | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) |
| Temperature Grade | Industrial (-40°C to +95°C) | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Package Shape | Rectangular | — |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| 데이터 속도 | [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1600 Mbps)] | DDR3-1600 (PC3L-12800) |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable |
| Access Time | 0.225 ns (from H5TC4G63AFR-PBR datasheet) | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant |
| 메모리 구성 | — | 256M x 16 |
| Total Memory Size | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Refresh Period | — | 7.8 us at 85°C |
| 동작 온도 범위 | — | -40°C to +95°C |
| 실장 유형 | — | Surface Mount |