IAUCN04S7N009ATMA1 vs IAUCN04S7L006ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUCN04S7N009ATMA1 メーカー: Infineon および IAUCN04S7L006ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUCN04S7N009ATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 ✓ 生産中
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IAUCN04S7L006ATMA1 IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUCN04S7N009ATMA1 IAUCN04S7L006ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.55 $1.38
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 7 —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS-7 trench
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) 175 A 175 A
R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V 0.96 mΩ —
Gate Drive Voltage (V_GS) 10 V —
パッケージ PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) PG-TDSON-8-43
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 -55C to +175C —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
MSLレベル 1 —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Configuration Single N-Channel —
Supplier Device Package PG-TDSON-8-34 —
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
R_DS(on) Max — 0.6 mΩ at V_GS = 10 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
動作温度範囲 — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101)
ピン数 — 8
Packaging — Tape and Reel (ATMA1)
Polarity — Single N-Channel

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