IAUCN04S7N009ATMA1 vs IAUCN04S7L006ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN04S7N009ATMA1 par Infineon et IAUCN04S7L006ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IAUCN04S7N009ATMA1 | IAUCN04S7L006ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,55 | $1,38 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 7 | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | OptiMOS-7 trench |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) | 175 A | 175 A |
| R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V | 0.96 mΩ | — |
| Gate Drive Voltage (V_GS) | 10 V | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) | PG-TDSON-8-43 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -55C to +175C | — |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | — |
| Niveau MSL | 1 | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-34 | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| R_DS(on) Max | — | 0.6 mΩ at V_GS = 10 V |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] |
| Gate Charge (Q_g) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C |
| Automotive Qualified | — | Yes (AEC-Q101) |
| Nombre de broches | — | 8 |
| Packaging | — | Tape and Reel (ATMA1) |
| Polarity | — | Single N-Channel |