IAUCN04S7N019GATMA1 vs IAUCN04S7L042GATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUCN04S7N019GATMA1 メーカー: Infineon および IAUCN04S7L042GATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IAUCN04S7N019GATMA1 IAUCN04S7L042GATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.82 $0.86
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 OptiMOS 7 40V
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) 147 A 77 A
On-Resistance RDS(on) typical 1.95 mOhm —
Maximum Power Dissipation (Tc) 81 W —
パッケージ PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) PG-THSOG-4 (SSO4G 5x6) leaded surface mount
実装タイプ Surface Mount Surface Mount (IMS substrate / FR4 with thermal vias)
Substrate Compatibility IMS substrates and legacy PCB —
Automotive Qualification AEC-Q101 (per family datasheet) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Tape and Reel Packaging Yes (per ATMA1 suffix) —
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] -55C to +175C (Tj)
Technology — Trench N-Channel MOSFET
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) — 50 W
Polarity / Channel Type — N-Channel enhancement mode
Automotive Qualified — Yes (Automotive grade, AEC-Q101 expected for Infineon OptiMOS 7 automotive parts)
MSLレベル — 1
Packing — Tape & Reel (per -ATMA1 suffix)
Target Substrate — IMS substrate and legacy FR4 designs
On-State Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼