IAUCN04S7N019GATMA1 vs IAUCN04S7L042GATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUCN04S7N019GATMA1 por Infineon y IAUCN04S7L042GATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IAUCN04S7N019GATMA1 IAUCN04S7L042GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,82 $0,86
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 OptiMOS 7 40V
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) 147 A 77 A
On-Resistance RDS(on) typical 1.95 mOhm —
Maximum Power Dissipation (Tc) 81 W —
Encapsulado PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) PG-THSOG-4 (SSO4G 5x6) leaded surface mount
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount (IMS substrate / FR4 with thermal vias)
Substrate Compatibility IMS substrates and legacy PCB —
Automotive Qualification AEC-Q101 (per family datasheet) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Tape and Reel Packaging Yes (per ATMA1 suffix) —
Rango de temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] -55C to +175C (Tj)
Technology — Trench N-Channel MOSFET
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) — 50 W
Polarity / Channel Type — N-Channel enhancement mode
Automotive Qualified — Yes (Automotive grade, AEC-Q101 expected for Infineon OptiMOS 7 automotive parts)
Nivel MSL — 1
Packing — Tape & Reel (per -ATMA1 suffix)
Target Substrate — IMS substrate and legacy FR4 designs
On-State Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]

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