IAUCN08S7N024ATMA1 vs IAUCN04S7L050HATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUCN08S7N024ATMA1 メーカー: Infineon および IAUCN04S7L050HATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IAUCN08S7N024ATMA1 IAUCN08S7N024ATMA1 - 80V 165A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN08S7N024ATMA1 - 80V 165A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN08S7N024ATMA1 ✓ 生産中
Infineon
IAUCN04S7L050HATMA1 IAUCN04S7L050HATMA1 - 40V Dual N-Ch OptiMOS 7, 5.04mΩ | Infineon

IAUCN04S7L050HATMA1 - 40V Dual N-Ch OptiMOS 7, 5.04mΩ | Infineon

IAUCN04S7L050HATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUCN08S7N024ATMA1 IAUCN04S7L050HATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.89 $0.83
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series Automotive OptiMOS 7 (80 V) OptiMOS™ 7
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 165 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 2.4 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Technology OptiMOS 7 trench Trench MOSFET, OptiMOS™ 7 40V
パッケージ PG-TDSON-8-34 (8-pin, exposed pad) PG-TDSON-8-57 (SuperSO8 half-bridge)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -55C to +175C (typical automotive) —
消費電力(Ptot) [DATA_NEEDED: Ptot @ TC=25C] —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 (family-level, automotive grade)
RoHS Compliance Compliant —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Typical Application 48 V automotive DC-DC, motor drive, load switch —
Configuration — Dual N-Channel (Dual Drain, Half-Bridge)
Continuous Drain Current (ID), Tc=25°C — 65 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.04 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C — 40 W
動作接合温度 — -55 °C to +175 °C
RoHS ステータス — Compliant

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼