IPD30N06S215ATMA2 vs IPD90N06S404ATMA2 比較

詳細な並列比較: IPD30N06S215ATMA2 メーカー: Infineon および IPD90N06S404ATMA2 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPD30N06S215ATMA2 IPD30N06S215ATMA2 - 55V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N06S215ATMA2 - 55V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N06S215ATMA2 ✓ 生産中
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IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 - 60V 90A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90N06S404ATMA2 - 60V 90A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90N06S404ATMA2 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPD30N06S215ATMA2 IPD90N06S404ATMA2
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.36 $0.72
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS Power MOSFET —
トランジスタタイプ N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 30 A 90 A
Power Dissipation (PD, Tc) 136 W 150 W
パッケージ / ケース PG-TO252-3-11 (DPAK) - 3-Pin (2+Tab) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 -55 C to +175 C (junction) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
MSLレベル MSL1 (up to 260 C peak reflow) MSL1
Avalanche Tested 100% avalanche tested —
Lead-Free / RoHS Green package (lead free), RoHS compliant —
Gate Threshold Type Logic-level compatible —
Packing Tape & Reel (T/R) —
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
On-Resistance (RDS(on)) — 3.8 mΩ (typ) at VGS = 10 V
パッケージ — PG-TO252-3-11 (DPAK), 3-pin surface mount
Operating Temperature (TJ max) — 175 °C
Peak Reflow Temperature — 260 °C (MSL1)
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
Technology — OptiMOS
RoHS ステータス — Compliant (Green Product)
Polarity — Single N-Channel

データシート&リソース

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