IPD30N06S215ATMA2 vs IPD90N06S404ATMA2 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPD30N06S215ATMA2 от Infineon и IPD90N06S404ATMA2 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPD30N06S215ATMA2 IPD30N06S215ATMA2 - 55V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N06S215ATMA2 - 55V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N06S215ATMA2 ✓ Активен
Infineon
IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 - 60V 90A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90N06S404ATMA2 - 60V 90A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90N06S404ATMA2 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPD30N06S215ATMA2 IPD90N06S404ATMA2
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,36 $0,72
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS Power MOSFET —
Тип транзистора N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 30 A 90 A
Power Dissipation (PD, Tc) 136 W 150 W
Корпус / Типоразмер PG-TO252-3-11 (DPAK) - 3-Pin (2+Tab) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Рабочая температура -55 C to +175 C (junction) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
Уровень MSL MSL1 (up to 260 C peak reflow) MSL1
Avalanche Tested 100% avalanche tested —
Lead-Free / RoHS Green package (lead free), RoHS compliant —
Gate Threshold Type Logic-level compatible —
Packing Tape & Reel (T/R) —
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
On-Resistance (RDS(on)) — 3.8 mΩ (typ) at VGS = 10 V
Корпус — PG-TO252-3-11 (DPAK), 3-pin surface mount
Operating Temperature (TJ max) — 175 °C
Peak Reflow Temperature — 260 °C (MSL1)
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
Technology — OptiMOS
Статус RoHS — Compliant (Green Product)
Polarity — Single N-Channel

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену