IPD50P04P413ATMA2 vs IPB180P04P4L02ATMA2 比較

詳細な並列比較: IPD50P04P413ATMA2 メーカー: Infineon および IPB180P04P4L02ATMA2 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPD50P04P413ATMA2 IPD50P04P413ATMA2 - P-Ch 40V 50A MOSFET | Infineon OptiMOS-P2

IPD50P04P413ATMA2 - P-Ch 40V 50A MOSFET | Infineon OptiMOS-P2

IPD50P04P413ATMA2 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPD50P04P413ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.42 $1.85
Polarity / Device Type P-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS-P2 (Trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) -40 V 40 V
Continuous Drain Current (TC=25°C, ID) 50 A —
Continuous Drain Current (TC=100°C, ID) [DATA_NEEDED: ID @ 100°C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] —
Power Dissipation (TC=25°C, Ptot) 58 W —
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-10V 9.2 mΩ (typ) / 12.6 mΩ (max) —
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=-4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Maximum Junction Temperature (TJ,max) 175 °C —
動作温度範囲 -55 °C to +175 °C -55 C to +175 C (junction)
パッケージ PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO263-7-3 (D2PAK-6, 7-pin)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Standard Pack Quantity (13" reel) 2500 pcs —
MSLレベル 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
RoHS ステータス Compliant Compliant (per Infineon product page)
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS-P2
トランジスタタイプ — P-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 180 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 150 W
On-State Resistance RDS(on) max — 2.4 mOhm at VGS = -10 V (per Infineon product page)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
ピン数 — 7 (6 + tab)
Tab Connection — Drain

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