IPP069N20NM6AKSA1 vs IRFB3207ZPBF 比較

詳細な並列比較: IPP069N20NM6AKSA1 メーカー: Infineon および IRFB3207ZPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IPP069N20NM6AKSA1 IRFB3207ZPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $4.10 $1.62
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 75 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 136 A 120 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 15.3 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 300 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 6.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Total Gate Charge at VGS=10V (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
動作温度範囲 -55C to +175C —
パッケージ PG-TO220-3-1 (TO-220-3 through-hole, 3+tab) TO-220AB (3-lead through-hole)
実装タイプ Through Hole Through Hole
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized)
RoHS ステータス Compliant —
Lead-Free Yes —
MSLレベル N/A (through-hole package) N/A (through-hole)
Tab Connection Electrically connected to Drain —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRFB3207ZPBF
Series — HEXFET
Silicon-Limited Drain Current — 170 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 3.3 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.1 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissition (PD) at TC=25C — 300 W
動作接合温度 — -55 C to +175 C
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free)
Avalanche Rated — Yes (improved Z-variant ruggedness)

データシート&リソース

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