IPP320N20N3GXKSA1 vs IPP100N12S305AKSA2 比較

詳細な並列比較: IPP320N20N3GXKSA1 メーカー: Infineon および IPP100N12S305AKSA2 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IPP320N20N3GXKSA1 IPP100N12S305AKSA2
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.36 $3.78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 OptiMOS 5
Technology N-Channel Trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 120 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 34 A —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V 32 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 4 V [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Power Dissipation PD at TC=25°C 136 W —
パッケージ TO-220-3 (PG-TO220-3) through-hole PG-TO220-3-1 (Through Hole)
実装タイプ Through Hole Through Hole
ピン数 3 (3 + Tab) —
動作温度範囲 -55°C to +175°C -55C to +175C (TJ)
Channel Type N-Channel —
Element Configuration Single —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSLレベル Not applicable (through-hole) N/A (Through Hole)
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, TC=100C) — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD, TC=25C) — 300 W
On-State Resistance R_DS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: R_DS(on) max]
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg value]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: Qrr value]
ピン数 — 3 (Gate, Drain, Source)
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)

データシート&リソース

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