IPP320N20N3GXKSA1 vs IPP100N12S305AKSA2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPP320N20N3GXKSA1 por Infineon e IPP100N12S305AKSA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPP320N20N3GXKSA1 IPP100N12S305AKSA2
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,36 $3,78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 OptiMOS 5
Technology N-Channel Trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 120 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 34 A —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V 32 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 4 V [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Power Dissipation PD at TC=25°C 136 W —
Encapsulamento TO-220-3 (PG-TO220-3) through-hole PG-TO220-3-1 (Through Hole)
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Número de pinos 3 (3 + Tab) —
Faixa de temperatura de operação -55°C to +175°C -55C to +175C (TJ)
Channel Type N-Channel —
Element Configuration Single —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Nível MSL Not applicable (through-hole) N/A (Through Hole)
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, TC=100C) — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD, TC=25C) — 300 W
On-State Resistance R_DS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: R_DS(on) max]
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg value]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: Qrr value]
Contagem de pinos — 3 (Gate, Drain, Source)
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)

Fichas técnicas e recursos

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