IPW60R180P7XKSA1 vs IPB60R280P7ATMA1 比較
詳細な並列比較: IPW60R180P7XKSA1 メーカー: Infineon および IPB60R280P7ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | IPW60R180P7XKSA1 | IPB60R280P7ATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $1.60 | $0.88 |
| Technology | CoolMOS P7 (Superjunction, 7th generation) | Superjunction (SJ) |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 18 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 180 mOhm | — |
| Gate Charge (Qg, typ) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Power Dissipation (Pd, Tc=25C) | 72 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | 3.5 V | — |
| Gate Drive Voltage (VGS, recommended) | 10 V (typical), +/-20 V max | — |
| 動作接合温度 | -55C to +150C | — |
| パッケージ | PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole, 3+tab pins) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| 実装タイプ | Through Hole | Surface Mount |
| Body Diode | Fast body diode with low reverse recovery (Qrr) | — |
| Integrated Gate Resistor | Yes | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Orderable Part Number | IPW60R180P7XKSA1 (tube pack, industrial grade) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | CoolMOS P7 (600 V) |
| トランジスタタイプ | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | — | 12 A |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) | — | 280 mOhm |
| Gate-Source Threshold V_GS(th) typ | — | 3.5 V |
| Power Dissipation P_D (T_C=25°C) | — | 53 W |
| ピン数 | — | 3 (2 + Tab) |
| 動作温度範囲 | — | -55 °C to +150 °C (T_j max) |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Lead-Free | — | Yes |
| Generation | — | 7th Gen CoolMOS (successor to P6) |