IPW60R180P7XKSA1 vs IPB60R280P7ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPW60R180P7XKSA1 par Infineon et IPB60R280P7ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPW60R180P7XKSA1 IPB60R280P7ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,60 $0,88
Technology CoolMOS P7 (Superjunction, 7th generation) Superjunction (SJ)
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 18 A —
On-Resistance RDS(on) max 180 mOhm —
Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Power Dissipation (Pd, Tc=25C) 72 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 3.5 V —
Gate Drive Voltage (VGS, recommended) 10 V (typical), +/-20 V max —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +150C —
Boîtier PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole, 3+tab pins) PG-TO263-3 (D2PAK)
Type de montage Through Hole Surface Mount
Body Diode Fast body diode with low reverse recovery (Qrr) —
Integrated Gate Resistor Yes —
Statut RoHS Compliant Compliant
Orderable Part Number IPW60R180P7XKSA1 (tube pack, industrial grade) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS P7 (600 V)
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 12 A
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) — 280 mOhm
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ — 3.5 V
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) — 53 W
Nombre de broches — 3 (2 + Tab)
Plage de température de fonctionnement — -55 °C to +150 °C (T_j max)
Configuration — Single N-Channel
Lead-Free — Yes
Generation — 7th Gen CoolMOS (successor to P6)

Fiches techniques et ressources

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