IPW60R180P7XKSA1 vs IPB60R280P7ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPW60R180P7XKSA1 por Infineon e IPB60R280P7ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPW60R180P7XKSA1 IPB60R280P7ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,60 $0,88
Technology CoolMOS P7 (Superjunction, 7th generation) Superjunction (SJ)
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 18 A —
On-Resistance RDS(on) max 180 mOhm —
Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Power Dissipation (Pd, Tc=25C) 72 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 3.5 V —
Gate Drive Voltage (VGS, recommended) 10 V (typical), +/-20 V max —
Temperatura de junção de operação -55C to +150C —
Encapsulamento PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole, 3+tab pins) PG-TO263-3 (D2PAK)
Tipo de montagem Through Hole Surface Mount
Body Diode Fast body diode with low reverse recovery (Qrr) —
Integrated Gate Resistor Yes —
Status RoHS Compliant Compliant
Orderable Part Number IPW60R180P7XKSA1 (tube pack, industrial grade) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS P7 (600 V)
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 12 A
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) — 280 mOhm
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ — 3.5 V
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) — 53 W
Contagem de pinos — 3 (2 + Tab)
Faixa de temperatura de operação — -55 °C to +150 °C (T_j max)
Configuration — Single N-Channel
Lead-Free — Yes
Generation — 7th Gen CoolMOS (successor to P6)

Fichas técnicas e recursos

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