IQEH84NE2LM7UCGATMA1 vs IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 比較

詳細な並列比較: IQEH84NE2LM7UCGATMA1 メーカー: Infineon および IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IQEH84NE2LM7UCGATMA1 IQEH84NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-FET, 275A | Infineon

IQEH84NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-FET, 275A | Infineon

IQEH84NE2LM7UCGATMA1 ✓ 生産中
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IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IQEH84NE2LM7UCGATMA1 IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.49 $1.84
FET Type N-Channel N-Channel
Technology OptiMOS 7 (Trench MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 275 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 107 W —
RDS(on) @ VGS=10 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10 V] —
RDS(on) @ VGS=4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] —
動作接合温度 -55 C to +175 C —
パッケージ PG-TTFN-9-3 (surface mount, source-down) PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 [DATA_NEEDED: pin count from datasheet pinout] 9
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Switching Application Hard- and soft-switching —
Continuous Drain Current (Ta) — 75 A
Continuous Drain Current (Tc) — 789 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 278 W
Maximum On-Resistance RDS(on) — 0.29 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2 V (typ)
Cooling — Dual-side exposed pad (top + bottom)
MSLレベル — [DATA_NEEDED: MSL rating]

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