IQEH84NE2LM7UCGATMA1 vs IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IQEH84NE2LM7UCGATMA1 por Infineon e IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IQEH84NE2LM7UCGATMA1 | IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,49 | $1,84 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | OptiMOS 7 (Trench MOSFET) | OptiMOS 5 Power-Transistor |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 42 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 275 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 107 W | — |
| RDS(on) @ VGS=10 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10 V] | — |
| RDS(on) @ VGS=4.5 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] | — |
| Temperatura de junção de operação | -55 C to +175 C | — |
| Encapsulamento | PG-TTFN-9-3 (surface mount, source-down) | PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Contagem de pinos | [DATA_NEEDED: pin count from datasheet pinout] | 9 |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Switching Application | Hard- and soft-switching | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 75 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 789 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 278 W |
| Maximum On-Resistance RDS(on) | — | 0.29 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 2 V (typ) |
| Cooling | — | Dual-side exposed pad (top + bottom) |
| Nível MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |