IRFB4020PBF vs IRF2805PBF 比較

詳細な並列比較: IRFB4020PBF メーカー: Infineon および IRF2805PBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IRFB4020PBF IRF2805PBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.38 $1.38
FET Type N-Channel N-Channel
Technology IR MOSFET (HEXFET) HEXFET Power MOSFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 18 A —
Power Dissipation (PD) at TC 100 W —
RDS(on) Maximum 100 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) Maximum 20 V —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) 1.43 C/W —
動作接合温度 175 C (max) —
パッケージ TO-220AB (through-hole) TO-220AB (3-pin, through-hole)
実装タイプ Through Hole Through Hole
ピン数 3 (Gate, Drain, Source) —
Lead-Free (PbF suffix) Yes —
Market Qualification Consumer —
Recommended Use Class-D audio amplifier and high-efficiency switching applications —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF2805PBF
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 75 A
Continuous Drain Current (ID) at 25°C — 175 A (pulsed / package-limited)
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.7 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V
Total Gate Charge (Qg) — 150 nC
Power Dissipation (PD) at Tc — 330 W
Maximum Junction Temperature — 175 °C
RoHS ステータス — Compliant (Pb-free)
動作温度範囲 — -55 °C to +175 °C
Configuration — Single N-Channel MOSFET

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