IRFB4020PBF vs IRF2805PBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRFB4020PBF 제조: Infineon 및 IRF2805PBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IRFB4020PBF IRF2805PBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.38 $1.38
FET Type N-Channel N-Channel
Technology IR MOSFET (HEXFET) HEXFET Power MOSFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 18 A —
Power Dissipation (PD) at TC 100 W —
RDS(on) Maximum 100 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) Maximum 20 V —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) 1.43 C/W —
동작 접합 온도 175 C (max) —
패키지 TO-220AB (through-hole) TO-220AB (3-pin, through-hole)
실장 유형 Through Hole Through Hole
핀 수 3 (Gate, Drain, Source) —
Lead-Free (PbF suffix) Yes —
Market Qualification Consumer —
Recommended Use Class-D audio amplifier and high-efficiency switching applications —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF2805PBF
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 75 A
Continuous Drain Current (ID) at 25°C — 175 A (pulsed / package-limited)
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.7 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V
Total Gate Charge (Qg) — 150 nC
Power Dissipation (PD) at Tc — 330 W
Maximum Junction Temperature — 175 °C
RoHS 상태 — Compliant (Pb-free)
동작 온도 범위 — -55 °C to +175 °C
Configuration — Single N-Channel MOSFET

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