IRFB4020PBF vs IRF2805PBF Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IRFB4020PBF от Infineon и IRF2805PBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IRFB4020PBF | IRF2805PBF |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,38 | $1,38 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | HEXFET Power MOSFET (IR MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 18 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 100 W | — |
| RDS(on) Maximum | 100 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Maximum | 20 V | — |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | 1.43 C/W | — |
| Рабочая температура перехода | 175 C (max) | — |
| Корпус | TO-220AB (through-hole) | TO-220AB (3-pin, through-hole) |
| Тип монтажа | Through Hole | Through Hole |
| Число выводов | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Lead-Free (PbF suffix) | Yes | — |
| Market Qualification | Consumer | — |
| Recommended Use | Class-D audio amplifier and high-efficiency switching applications | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Number | — | IRF2805PBF |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 75 A |
| Continuous Drain Current (ID) at 25°C | — | 175 A (pulsed / package-limited) |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 4.7 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 150 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 330 W |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 °C |
| Статус RoHS | — | Compliant (Pb-free) |
| Диапазон рабочих температур | — | -55 °C to +175 °C |
| Configuration | — | Single N-Channel MOSFET |