IRFB4020PBF vs IRF2805PBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFB4020PBF por Infineon e IRF2805PBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFB4020PBF IRF2805PBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,38 $1,38
FET Type N-Channel N-Channel
Technology IR MOSFET (HEXFET) HEXFET Power MOSFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 18 A —
Power Dissipation (PD) at TC 100 W —
RDS(on) Maximum 100 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) Maximum 20 V —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) 1.43 C/W —
Temperatura de junção de operação 175 C (max) —
Encapsulamento TO-220AB (through-hole) TO-220AB (3-pin, through-hole)
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Contagem de pinos 3 (Gate, Drain, Source) —
Lead-Free (PbF suffix) Yes —
Market Qualification Consumer —
Recommended Use Class-D audio amplifier and high-efficiency switching applications —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF2805PBF
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 75 A
Continuous Drain Current (ID) at 25°C — 175 A (pulsed / package-limited)
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.7 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V
Total Gate Charge (Qg) — 150 nC
Power Dissipation (PD) at Tc — 330 W
Maximum Junction Temperature — 175 °C
Status RoHS — Compliant (Pb-free)
Faixa de temperatura de operação — -55 °C to +175 °C
Configuration — Single N-Channel MOSFET

Fichas técnicas e recursos

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