IRFH7440TRPBF vs IRF7854TRPBF 比較

詳細な並列比較: IRFH7440TRPBF メーカー: Infineon および IRF7854TRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IRFH7440TRPBF IRF7854TRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.78 $0.48
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 85 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance (RDS(on) max at VGS=10V) 2.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 92 nC —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 104 W —
動作接合温度 -55°C to +150°C —
Technology StrongIRFET™ (HEXFET) HEXFET (planar N-channel)
パッケージ 8-PQFN (5x6 mm) with exposed thermal pad SO-8
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Gate Drive Optimization 10V (Normal Level), switching < 100 kHz —
Qualification JEDEC standard JEDEC industrial, Normal level
Lead-Free / RoHS Lead-Free, RoHS Compliant (PBF suffix) Yes (PBF suffix, lead-free)
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL 1 —
Typical Applications Brushed motor drive, DC-DC converters, solenoid/load switching —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 10 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C — 2.5 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 13.4 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max — 4.9 V
Total Gate Charge Qg — 27 nC
動作温度範囲 — -55°C to +150°C (TJ)
Solder Process — Reflow and wave-solderable
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V

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