IRFH7440TRPBF vs IRF7854TRPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRFH7440TRPBF 제조: Infineon 및 IRF7854TRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IRFH7440TRPBF IRF7854TRPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.78 $0.48
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 85 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance (RDS(on) max at VGS=10V) 2.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 92 nC —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 104 W —
동작 접합 온도 -55°C to +150°C —
Technology StrongIRFET™ (HEXFET) HEXFET (planar N-channel)
패키지 8-PQFN (5x6 mm) with exposed thermal pad SO-8
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Gate Drive Optimization 10V (Normal Level), switching < 100 kHz —
Qualification JEDEC standard JEDEC industrial, Normal level
Lead-Free / RoHS Lead-Free, RoHS Compliant (PBF suffix) Yes (PBF suffix, lead-free)
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL 1 —
Typical Applications Brushed motor drive, DC-DC converters, solenoid/load switching —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 10 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C — 2.5 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 13.4 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max — 4.9 V
Total Gate Charge Qg — 27 nC
동작 온도 범위 — -55°C to +150°C (TJ)
Solder Process — Reflow and wave-solderable
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V

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