IRFH7440TRPBF vs IRF7854TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFH7440TRPBF por Infineon e IRF7854TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFH7440TRPBF IRF7854TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,78 $0,48
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 85 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance (RDS(on) max at VGS=10V) 2.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 92 nC —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 104 W —
Temperatura de junção de operação -55°C to +150°C —
Technology StrongIRFET™ (HEXFET) HEXFET (planar N-channel)
Encapsulamento 8-PQFN (5x6 mm) with exposed thermal pad SO-8
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Gate Drive Optimization 10V (Normal Level), switching < 100 kHz —
Qualification JEDEC standard JEDEC industrial, Normal level
Lead-Free / RoHS Lead-Free, RoHS Compliant (PBF suffix) Yes (PBF suffix, lead-free)
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL 1 —
Typical Applications Brushed motor drive, DC-DC converters, solenoid/load switching —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 10 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C — 2.5 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 13.4 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max — 4.9 V
Total Gate Charge Qg — 27 nC
Faixa de temperatura de operação — -55°C to +150°C (TJ)
Solder Process — Reflow and wave-solderable
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V

Fichas técnicas e recursos

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