IRFR120NTRLPBF vs IRFR9120NTRLPBF 比較

詳細な並列比較: IRFR120NTRLPBF メーカー: Infineon および IRFR9120NTRLPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IRFR120NTRLPBF IRFR9120NTRLPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.62 $0.61
FET Type N-Channel —
Technology IR MOSFET (HEXFET) IR MOSFET (planar)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 9.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] -2 V to -4 V
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 210 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 16.7 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 48 W —
動作接合温度範囲 -55C to +175C —
Avalanche Energy Rated Yes (fully avalanche rated) —
パッケージ PG-TO252-3 (DPAK) TO-252AA (DPAK)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス Compliant Compliant (Pb-free)
Lead-Free Finish Yes (Pb-free) —
Transistor Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) — -6.6 A (Tc)
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
On-Resistance (RDS(on)) — 480 mOhm max @ VGS = -10 V
Gate Charge (Qg) — 18 nC (typ)
Power Dissipation (PD) — 40 W (Tc)
動作温度範囲 — -55C to +150C (Tj)
ピン数 — 3 (Gate, Drain, Source)
MSLレベル — 1
Lead-Free — Yes

データシート&リソース

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