IRFR120NTRLPBF vs IRFR9120NTRLPBF Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IRFR120NTRLPBF por Infineon e IRFR9120NTRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IRFR120NTRLPBF | IRFR9120NTRLPBF |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,62 | $0,61 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | IR MOSFET (planar) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | -100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 9.4 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | -2 V to -4 V |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 210 mΩ | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 16.7 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 48 W | — |
| Faixa de temperatura de junção de operação | -55C to +175C | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes (fully avalanche rated) | — |
| Encapsulamento | PG-TO252-3 (DPAK) | TO-252AA (DPAK) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Status RoHS | Compliant | Compliant (Pb-free) |
| Lead-Free Finish | Yes (Pb-free) | — |
| Transistor Polarity | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) | — | -6.6 A (Tc) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 480 mOhm max @ VGS = -10 V |
| Gate Charge (Qg) | — | 18 nC (typ) |
| Power Dissipation (PD) | — | 40 W (Tc) |
| Faixa de temperatura de operação | — | -55C to +150C (Tj) |
| Contagem de pinos | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Nível MSL | — | 1 |
| Lead-Free | — | Yes |