IRFR5305TRLPBF vs IRFR5410TRRPBF 比較

詳細な並列比較: IRFR5305TRLPBF メーカー: Infineon および IRFR5410TRRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRFR5410TRRPBF IRFR5410TRRPBF - P-CH 100V 13A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5410TRRPBF - P-CH 100V 13A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5410TRRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRFR5305TRLPBF IRFR5410TRRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.38 $0.49
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -31 A -13 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RDS(on) max at VGS=-10V 65 mΩ 205 mΩ
RDS(on) max at VGS=-5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
動作接合温度 -55C to +175C -55C to +150C
パッケージ TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET fifth-generation planar MOSFET HEXFET (5th Generation)
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) Yes
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free, suffix "PBF") Yes (PBF suffix indicates lead-free)
Tape & Reel Orientation Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left) —
Polarity — P-Channel
FET Type — MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)
VDS (Drain-Source Voltage) — -100 V
VGS (Gate-Source Voltage) — ±20 V
VGS(th) (Gate Threshold) — -2 V to -4 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at 100C]
RDS(on) typical at VGS=-10V — 26 mΩ (per Mouser listing for IRFR5410TRPBF)
Total Gate Charge (Qg) — 70 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 66 W

データシート&リソース

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