IRFR9024NTRLPBF vs IRFR5505TRPBF 比較

詳細な並列比較: IRFR9024NTRLPBF メーカー: Infineon および IRFR5505TRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IRFR9024NTRLPBF IRFR9024NTRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR9024NTRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR9024NTRLPBF ✓ 生産中
Infineon
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF - P-Channel 55V 18A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5505TRPBF - P-Channel 55V 18A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5505TRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRFR9024NTRLPBF IRFR5505TRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.32 $0.48
Polarity P-Channel P-Channel
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -11 A -18 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 175 mOhm 110 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V +/-20 V
Power Dissipation (PD) at TC=25C 38 W —
Gate Charge (Qg) typical 12.7 nC —
Package Type TO-252AA (DPAK) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 3 (Drain, Gate, Source + Tab) —
Technology HEXFET (Generation 5) IR MOSFET (HEXFET 5th generation)
動作温度範囲 -55C to +175C —
Lead-Free / RoHS Yes (LPBF suffix) —
Reel Orientation Left (TRL suffix) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Series — HEXFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — -55 V
Pulsed Drain Current (IDM) — -72 A
Total Gate Charge (Qg) — 21.3 nC
Gate-Source Charge (Qgs) — [DATA_NEEDED: Qgs]
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: tr]
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: tf]
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C — 57 W
動作接合温度 — -55 C to +175 C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 2.2 C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) — 50 C/W (typical, DPAK on 1 oz copper)
パッケージ — TO-252AA (DPAK), surface mount
RoHS ステータス — Compliant (PBF suffix)
Lead-Free — Yes (PBF suffix)

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼