IRFS3107TRL7PP vs IRFS3006TRL7PP 比較

詳細な並列比較: IRFS3107TRL7PP メーカー: Infineon および IRFS3006TRL7PP メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRFS3107TRL7PP IRFS3107TRL7PP - 75V 260A 3mOhm N-Channel MOSFET | Infineon

IRFS3107TRL7PP - 75V 260A 3mOhm N-Channel MOSFET | Infineon

IRFS3107TRL7PP ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRFS3107TRL7PP IRFS3006TRL7PP
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.85 $1.75
FET Type N-Channel MOSFET —
Technology IR HEXFET (Planar DMOS) HEXFET (IR MOSFET™ planar)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 75 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C 240 A (DigiKey) / 195 A (per package datasheet snippet) —
パルスドレイン電流 [DATA_NEEDED: pulsed ID] —
RDS(on) Max @ VGS=10V 3 mOhm (Infineon) / 2.6 mOhm (Mouser) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical range] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Gate Charge (Qg) Typical 160 nC —
Maximum Power Dissition @ Tc=25C 370 W —
動作温度範囲 -55C to +175C (junction) —
パッケージ D2PAK-7 (TO-263CB, 6 leads + tab) D2PAK (TO-263), 7-Lead, Surface Mount
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited)
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 240 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating]
On-Resistance RDS(on) max — 2.1 mΩ (per Mouser snippet)
On-Resistance RDS(on) typ — 1.5 mΩ
Gate Charge (Qg) — 200 nC (typical)
Power Dissipation (PD) at Tc — 375 W
動作接合温度 — -55 °C to +175 °C
Body Diode — Intrinsic, avalanche-rated
Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy]
RθJC Thermal Resistance — [DATA_NEEDED: junction-to-case thermal resistance]

データシート&リソース

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