IRFS3107TRL7PP vs IRFS3006TRL7PP 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRFS3107TRL7PP 제조: Infineon 및 IRFS3006TRL7PP 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IRFS3107TRL7PP IRFS3006TRL7PP
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.85 $1.75
FET Type N-Channel MOSFET —
Technology IR HEXFET (Planar DMOS) HEXFET (IR MOSFET™ planar)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 75 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C 240 A (DigiKey) / 195 A (per package datasheet snippet) —
펄스 드레인 전류 [DATA_NEEDED: pulsed ID] —
RDS(on) Max @ VGS=10V 3 mOhm (Infineon) / 2.6 mOhm (Mouser) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical range] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Gate Charge (Qg) Typical 160 nC —
Maximum Power Dissition @ Tc=25C 370 W —
동작 온도 범위 -55C to +175C (junction) —
패키지 D2PAK-7 (TO-263CB, 6 leads + tab) D2PAK (TO-263), 7-Lead, Surface Mount
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited)
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 240 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating]
On-Resistance RDS(on) max — 2.1 mΩ (per Mouser snippet)
On-Resistance RDS(on) typ — 1.5 mΩ
Gate Charge (Qg) — 200 nC (typical)
Power Dissipation (PD) at Tc — 375 W
동작 접합 온도 — -55 °C to +175 °C
Body Diode — Intrinsic, avalanche-rated
Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy]
RθJC Thermal Resistance — [DATA_NEEDED: junction-to-case thermal resistance]

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