IRFS3107TRL7PP vs IRFS3006TRL7PP Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRFS3107TRL7PP от Infineon и IRFS3006TRL7PP от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRFS3107TRL7PP IRFS3107TRL7PP - 75V 260A 3mOhm N-Channel MOSFET | Infineon

IRFS3107TRL7PP - 75V 260A 3mOhm N-Channel MOSFET | Infineon

IRFS3107TRL7PP ✓ Активен
Infineon
IRFS3006TRL7PP IRFS3006TRL7PP - 60V 240A N-Ch HEXFET MOSFET | D2PAK-7 | Infineon

IRFS3006TRL7PP - 60V 240A N-Ch HEXFET MOSFET | D2PAK-7 | Infineon

IRFS3006TRL7PP ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRFS3107TRL7PP IRFS3006TRL7PP
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,85 $1,75
FET Type N-Channel MOSFET —
Technology IR HEXFET (Planar DMOS) HEXFET (IR MOSFET™ planar)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 75 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C 240 A (DigiKey) / 195 A (per package datasheet snippet) —
Импульсный ток стока [DATA_NEEDED: pulsed ID] —
RDS(on) Max @ VGS=10V 3 mOhm (Infineon) / 2.6 mOhm (Mouser) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical range] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Gate Charge (Qg) Typical 160 nC —
Maximum Power Dissition @ Tc=25C 370 W —
Диапазон рабочих температур -55C to +175C (junction) —
Корпус D2PAK-7 (TO-263CB, 6 leads + tab) D2PAK (TO-263), 7-Lead, Surface Mount
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited)
Тип транзистора — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 240 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating]
On-Resistance RDS(on) max — 2.1 mΩ (per Mouser snippet)
On-Resistance RDS(on) typ — 1.5 mΩ
Gate Charge (Qg) — 200 nC (typical)
Power Dissipation (PD) at Tc — 375 W
Рабочая температура перехода — -55 °C to +175 °C
Body Diode — Intrinsic, avalanche-rated
Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy]
RθJC Thermal Resistance — [DATA_NEEDED: junction-to-case thermal resistance]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену