K3LK4K40CM-BGCP vs K3LK8K80CM-MFCP 比較

詳細な並列比較: K3LK4K40CM-BGCP メーカー: Samsung Electronics および K3LK8K80CM-MFCP メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Samsung Electronics
K3LK4K40CM-BGCP K3LK4K40CM-BGCP - LPDDR5 96Gb 6400Mbps DRAM | Samsung

K3LK4K40CM-BGCP - LPDDR5 96Gb 6400Mbps DRAM | Samsung

K3LK4K40CM-BGCP ✓ 生産中
Samsung Electronics
K3LK8K80CM-MFCP K3LK8K80CM-MFCP - 48Gbit LPDDR5 6400Mbps DRAM | Samsung

K3LK8K80CM-MFCP - 48Gbit LPDDR5 6400Mbps DRAM | Samsung

K3LK8K80CM-MFCP ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K3LK4K40CM-BGCP K3LK8K80CM-MFCP
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ DRAM Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $37.80 $0.00
メモリタイプ LPDDR5 SDRAM LPDDR5 SDRAM
Density 96 Gb (12 GB) 48 Gbit (6 GB)
メモリ構成 1536M x 64 [DATA_NEEDED: organization (x width)]
データレート 6400 Mbps per pin —
Supply Voltage (VDD) 1.05 V —
パッケージ 496-ball FBGA 315-ball FBGA (MFCP)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
インターフェース LPDDR5 (JEDEC) LPDDR5 (JESD209-5 class low-power DRAM interface)
動作温度 [DATA_NEEDED: Operating Temperature] -40 C to +105 C (automotive-grade)
Access Time / CAS Latency [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Refresh Scheme Per-bank / all-bank refresh —
Power-Down Modes Deep sleep / power-down supported —
Application Segment Mobile, embedded, computing modules —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS Status] unknown
Packaging [DATA_NEEDED: standard packing quantity] —
Pin Speed — 6400 Mbps
Data Rate (package) — 51.2 GB/s (family max)
Ball Count — 315
電源電圧 — [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ voltage]
Power Saving vs LPDDR4X — Approximately 20%
Generation — LPDDR5 (5th generation low-power DRAM)
Application Grade — Automotive-grade storage chip
Place of Origin — Johor, Malaysia

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼