K3LK4K40CM-BGCP vs K3LK8K80CM-MFCP Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K3LK4K40CM-BGCP par Samsung Electronics et K3LK8K80CM-MFCP par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K3LK4K40CM-BGCP | K3LK8K80CM-MFCP |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | DRAM | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $37,80 | $0,00 |
| Type de mémoire | LPDDR5 SDRAM | LPDDR5 SDRAM |
| Density | 96 Gb (12 GB) | 48 Gbit (6 GB) |
| Organisation de la mémoire | 1536M x 64 | [DATA_NEEDED: organization (x width)] |
| Débit de données | 6400 Mbps per pin | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.05 V | — |
| Boîtier | 496-ball FBGA | 315-ball FBGA (MFCP) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | LPDDR5 (JEDEC) | LPDDR5 (JESD209-5 class low-power DRAM interface) |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | -40 C to +105 C (automotive-grade) |
| Access Time / CAS Latency | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh Scheme | Per-bank / all-bank refresh | — |
| Power-Down Modes | Deep sleep / power-down supported | — |
| Application Segment | Mobile, embedded, computing modules | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | unknown |
| Packaging | [DATA_NEEDED: standard packing quantity] | — |
| Pin Speed | — | 6400 Mbps |
| Data Rate (package) | — | 51.2 GB/s (family max) |
| Ball Count | — | 315 |
| Tension d'alimentation | — | [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ voltage] |
| Power Saving vs LPDDR4X | — | Approximately 20% |
| Generation | — | LPDDR5 (5th generation low-power DRAM) |
| Application Grade | — | Automotive-grade storage chip |
| Place of Origin | — | Johor, Malaysia |