K4A8G045WB-BCPB vs K4A8G045WB-BCRC 比較

詳細な並列比較: K4A8G045WB-BCPB メーカー: Samsung Electronics および K4A8G045WB-BCRC メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K4A8G045WB-BCPB K4A8G045WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps | Samsung

K4A8G045WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps | Samsung

K4A8G045WB-BCPB ✓ 生産中
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K4A8G045WB-BCRC K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4A8G045WB-BCPB K4A8G045WB-BCRC
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $9.02 $2.95
メモリタイプ DDR4 SDRAM (B-die) DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
メモリ構成 2G x 4 2G x 4
データレート 2133 Mbps/pin (PC4-2133) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
パッケージ 78-ball FBGA 78-ball FBGA (PBGA78)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Prefetch Architecture 8n —
Burst Length BL8, BC4 (burst chop) —
Refresh Cycles 8192 8192
Refresh Modes Auto-refresh, Self-refresh —
Termination On-Die Termination (ODT) —
Reset Asynchronous Reset —
Clocking Differential clocks (CK/CK#) —
動作温度 0C to +85C 0 C to 85 C
Max Supply Current 211.7 mA —
特長 Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Speed — 2400 Mbps
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2 V
Process Technology — Samsung B-die
インターフェース — CMOS, differential clock (CK/CK#)
Maximum Supply Current — 211.7 mA
Terminals — 78
Key DDR4 Features — Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset
DLL Mode — Timing specified for DLL-enabled operation

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