K4A8G045WB-BCPB vs K4A8G045WB-BCRC Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4A8G045WB-BCPB от Samsung Electronics и K4A8G045WB-BCRC от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCPB K4A8G045WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps | Samsung

K4A8G045WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps | Samsung

K4A8G045WB-BCPB ✓ Активен
Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCRC K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K4A8G045WB-BCPB K4A8G045WB-BCRC
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $9,02 $2,95
Тип памяти DDR4 SDRAM (B-die) DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Организация памяти 2G x 4 2G x 4
Скорость передачи данных 2133 Mbps/pin (PC4-2133) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Корпус 78-ball FBGA 78-ball FBGA (PBGA78)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Prefetch Architecture 8n —
Burst Length BL8, BC4 (burst chop) —
Refresh Cycles 8192 8192
Refresh Modes Auto-refresh, Self-refresh —
Termination On-Die Termination (ODT) —
Reset Asynchronous Reset —
Clocking Differential clocks (CK/CK#) —
Рабочая температура 0C to +85C 0 C to 85 C
Max Supply Current 211.7 mA —
Особенности Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Speed — 2400 Mbps
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2 V
Process Technology — Samsung B-die
Интерфейс — CMOS, differential clock (CK/CK#)
Maximum Supply Current — 211.7 mA
Terminals — 78
Key DDR4 Features — Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset
DLL Mode — Timing specified for DLL-enabled operation

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену