K4A8G045WB-BCPB vs K4A8G045WB-BCRC 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A8G045WB-BCPB 제조: Samsung Electronics 및 K4A8G045WB-BCRC 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A8G045WB-BCPB | K4A8G045WB-BCRC |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $9.02 | $2.95 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM (B-die) | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| 메모리 구성 | 2G x 4 | 2G x 4 |
| 데이터 속도 | 2133 Mbps/pin (PC4-2133) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| 패키지 | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA (PBGA78) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Prefetch Architecture | 8n | — |
| Burst Length | BL8, BC4 (burst chop) | — |
| Refresh Cycles | 8192 | 8192 |
| Refresh Modes | Auto-refresh, Self-refresh | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | — |
| Reset | Asynchronous Reset | — |
| Clocking | Differential clocks (CK/CK#) | — |
| 동작 온도 | 0C to +85C | 0 C to 85 C |
| Max Supply Current | 211.7 mA | — |
| 특징 | Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Speed | — | 2400 Mbps |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2 V |
| Process Technology | — | Samsung B-die |
| 인터페이스 | — | CMOS, differential clock (CK/CK#) |
| Maximum Supply Current | — | 211.7 mA |
| Terminals | — | 78 |
| Key DDR4 Features | — | Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset |
| DLL Mode | — | Timing specified for DLL-enabled operation |