K4A8G085WC-BCWE vs H5AN8G8NCJR-VKC 比較
詳細な並列比較: K4A8G085WC-BCWE メーカー: Samsung Electronics および H5AN8G8NCJR-VKC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4A8G085WC-BCWE | H5AN8G8NCJR-VKC |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | SK hynix |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $7.38 | $28.13 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile) |
| Density | 8 Gb | — |
| メモリ構成 | 1G x 8 | — |
| データレート | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 2666 Mbps/pin |
| 電源電圧 | 1.2 V | — |
| 動作温度 | 0C to +85C | 0C to +85C |
| パッケージ | 78FBGA | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| インターフェース | DDR4 (parallel, double data rate) | Parallel (DDR4) |
| Application Class | Computing / Embedded main memory | — |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| Bank Group Architecture | DDR4 bank groups (8n prefetch) | — |
| Speed Bin Suffix | -BCWE (DDR4-3200, commercial temp) | — |
| RoHS ステータス | Compliant (per JLCPCB listing) | Compliant |
| Refresh | Standard DDR4 refresh mechanisms | — |
| On-Die Termination | Yes (DDR4 ODT) | — |
| メモリサイズ | — | 8 Gbit |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.14 V to 1.26 V (1.2 V class) |
| Operating Current (typ) | — | 30 mA |
| Standby Current (typ) | — | 3 mA |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| CASレイテンシ | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: refresh period] |