K4A8G085WC-BCWE vs H5AN8G8NCJR-VKC 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A8G085WC-BCWE 제조: Samsung Electronics 및 H5AN8G8NCJR-VKC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A8G085WC-BCWE | H5AN8G8NCJR-VKC |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $7.38 | $28.13 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile) |
| Density | 8 Gb | — |
| 메모리 구성 | 1G x 8 | — |
| 데이터 속도 | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 2666 Mbps/pin |
| 공급 전압 | 1.2 V | — |
| 동작 온도 | 0C to +85C | 0C to +85C |
| 패키지 | 78FBGA | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 인터페이스 | DDR4 (parallel, double data rate) | Parallel (DDR4) |
| Application Class | Computing / Embedded main memory | — |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| Bank Group Architecture | DDR4 bank groups (8n prefetch) | — |
| Speed Bin Suffix | -BCWE (DDR4-3200, commercial temp) | — |
| RoHS 상태 | Compliant (per JLCPCB listing) | Compliant |
| Refresh | Standard DDR4 refresh mechanisms | — |
| On-Die Termination | Yes (DDR4 ODT) | — |
| 메모리 크기 | — | 8 Gbit |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.14 V to 1.26 V (1.2 V class) |
| Operating Current (typ) | — | 30 mA |
| Standby Current (typ) | — | 3 mA |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| CAS 레이턴시 | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: refresh period] |