K4A8G085WC-BCWE vs H5AN8G8NCJR-VKC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K4A8G085WC-BCWE por Samsung Electronics e H5AN8G8NCJR-VKC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCWE K4A8G085WC-BCWE - 8Gb DDR4-3200 DRAM 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCWE - 8Gb DDR4-3200 DRAM 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCWE ✓ Ativo
SK hynix
H5AN8G8NCJR-VKC H5AN8G8NCJR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K4A8G085WC-BCWE H5AN8G8NCJR-VKC
Marca Samsung Electronics SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $7,38 $28,13
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (volatile)
Density 8 Gb —
Organização da memória 1G x 8 —
Taxa de dados 3200 Mbps (DDR4-3200) 2666 Mbps/pin
Tensão de alimentação 1.2 V —
Temperatura de operação 0C to +85C 0C to +85C
Encapsulamento 78FBGA FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Interface DDR4 (parallel, double data rate) Parallel (DDR4)
Application Class Computing / Embedded main memory —
Manufacturer Samsung Electronics —
Bank Group Architecture DDR4 bank groups (8n prefetch) —
Speed Bin Suffix -BCWE (DDR4-3200, commercial temp) —
Status RoHS Compliant (per JLCPCB listing) Compliant
Refresh Standard DDR4 refresh mechanisms —
On-Die Termination Yes (DDR4 ODT) —
Tamanho da memória — 8 Gbit
Memory Organization — 1G x 8
Clock Frequency — 1.6 GHz
Supply Voltage (VDD) — 1.14 V to 1.26 V (1.2 V class)
Operating Current (typ) — 30 mA
Standby Current (typ) — 3 mA
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
Asynchronous Reset — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Auto Precharge — Yes
Latência CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Refresh Rate — [DATA_NEEDED: refresh period]

Fichas técnicas e recursos

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