K4A8G085WC-BIWE vs K4A8G085WC-BCPB 比較
詳細な並列比較: K4A8G085WC-BIWE メーカー: Samsung Electronics および K4A8G085WC-BCPB メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4A8G085WC-BIWE | K4A8G085WC-BCPB |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | DRAM |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 製造終了 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $6.29 | $2.95 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| メモリ構成 | 1G x 8 | 1G x 8 |
| データレート | 3200 Mbps | 2133 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| 動作温度範囲 | -40°C to +95°C | — |
| パッケージ | 78-FBGA | 78FBGA |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| インターフェース | POD-12 | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| CASレイテンシ | 22 (CL22) | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] |
| RoHS ステータス | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| 電源電圧 | — | 1.2 V |
| 動作温度 | — | 0 C to +85 C |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Maximum Seated Height | — | 1.2 mm |
| Speed Grade | — | DDR4-2133 |
| 特長 | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Die Revision | — | [DATA_NEEDED: die revision] |
| Standard Package Quantity | — | [DATA_NEEDED: standard package quantity] |