K4A8G085WC-BIWE vs K4A8G085WC-BCPB Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4A8G085WC-BIWE por Samsung Electronics e K4A8G085WC-BCPB por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCPB ✗ Fim de vidaComparação de especificações
| Parâmetro | K4A8G085WC-BIWE | K4A8G085WC-BCPB |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | DRAM |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Fim de vida |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $6,29 | $2,95 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organização da memória | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Taxa de dados | 3200 Mbps | 2133 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Faixa de temperatura de operação | -40°C to +95°C | — |
| Encapsulamento | 78-FBGA | 78FBGA |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | POD-12 | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| Latência CAS | 22 (CL22) | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] |
| Status RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| Tensão de alimentação | — | 1.2 V |
| Temperatura de operação | — | 0 C to +85 C |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Maximum Seated Height | — | 1.2 mm |
| Speed Grade | — | DDR4-2133 |
| Recursos | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Die Revision | — | [DATA_NEEDED: die revision] |
| Standard Package Quantity | — | [DATA_NEEDED: standard package quantity] |