K4A8G165WB-BCRC vs K4A8G165WC-BCRC 比較

詳細な並列比較: K4A8G165WB-BCRC メーカー: Samsung Electronics および K4A8G165WC-BCRC メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K4A8G165WB-BCRC K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2400Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2400Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCRC ✓ 生産中
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K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4A8G165WB-BCRC K4A8G165WC-BCRC
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $12.57 $23.00
メモリタイプ DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) DDR4 SDRAM
メモリサイズ 8 Gb (1 GB) —
Memory Organization 512M x 16 —
データレート 2400 Mbps (PC4-19200) 2400 Mbps
電源電圧 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) —
Technology CMOS DRAM, Samsung 8Gb B-die —
パッケージ 96-ball FBGA (PBGA96) 96-ball FBGA (9mm x 13mm)
Ball Pitch 0.8 mm —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 -40C to +95C 0°C to +95°C (case)
インターフェース DDR4 (Double Data Rate, synchronous) 16-bit I/O
On-Die Termination Yes (ODT with dynamic ODT) —
ZQ Calibration Yes —
CRC / CA Parity Yes (CRC function) —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Refresh Auto-refresh and self-refresh Temperature-compensated self-refresh (TCSR)
RoHS ステータス Compliant —
Density — 8 Gb
メモリ構成 — 512M x 16
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (1.14V to 1.26V)
VPP Voltage — 2.5 V
Banks — 16 (4 bank groups)
Burst Length — 8 (BL8)
CASレイテンシ — Programmable (e.g., 16, 17, 18)
RoHS — Compliant

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