K4A8G165WB-BCRC vs K4A8G165WC-BCRC 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A8G165WB-BCRC 제조: Samsung Electronics 및 K4A8G165WC-BCRC 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A8G165WB-BCRC | K4A8G165WC-BCRC |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $12.57 | $23.00 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 8 Gb (1 GB) | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| 데이터 속도 | 2400 Mbps (PC4-19200) | 2400 Mbps |
| 공급 전압 | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| Technology | CMOS DRAM, Samsung 8Gb B-die | — |
| 패키지 | 96-ball FBGA (PBGA96) | 96-ball FBGA (9mm x 13mm) |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | -40C to +95C | 0°C to +95°C (case) |
| 인터페이스 | DDR4 (Double Data Rate, synchronous) | 16-bit I/O |
| On-Die Termination | Yes (ODT with dynamic ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC / CA Parity | Yes (CRC function) | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | Temperature-compensated self-refresh (TCSR) |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| Density | — | 8 Gb |
| 메모리 구성 | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| Banks | — | 16 (4 bank groups) |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| CAS 레이턴시 | — | Programmable (e.g., 16, 17, 18) |
| RoHS | — | Compliant |