K4A8G165WB-BCTD vs MT40A512M16JY-075E 比較
詳細な並列比較: K4A8G165WB-BCTD メーカー: Samsung Electronics および MT40A512M16JY-075E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4A8G165WB-BCTD | MT40A512M16JY-075E |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Micron Technology |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $37.00 | $30.50 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| メモリ構成 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Total Density | 8 Gb | — |
| データレート | 2666 Mbps/pin (PC4-2666) | 2666 MT/s |
| 電源電圧 | 1.2 V | — |
| パッケージ | 96-ball FBGA | 96-FBGA (8x14) |
| 動作温度 | 0°C to +95°C (TC) | — |
| CASレイテンシ | [DATA_NEEDED: CL value] | — |
| tRCD | [DATA_NEEDED: tRCD value] | — |
| tRP | [DATA_NEEDED: tRP value] | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| メモリサイズ | — | 8 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.14V to 1.26V |
| VPP Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| インターフェース | — | Parallel |
| 実装タイプ | — | Surface Mount |
| 動作温度範囲 | — | 0°C to +95°C (TC) |
| Refresh Time | — | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C |
| RoHS ステータス | — | Compliant |
| 特長 | — | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |