K4A8G165WB-BCTD vs MT40A512M16JY-075E 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A8G165WB-BCTD 제조: Samsung Electronics 및 MT40A512M16JY-075E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A8G165WB-BCTD | MT40A512M16JY-075E |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $37.00 | $30.50 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Total Density | 8 Gb | — |
| 데이터 속도 | 2666 Mbps/pin (PC4-2666) | 2666 MT/s |
| 공급 전압 | 1.2 V | — |
| 패키지 | 96-ball FBGA | 96-FBGA (8x14) |
| 동작 온도 | 0°C to +95°C (TC) | — |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CL value] | — |
| tRCD | [DATA_NEEDED: tRCD value] | — |
| tRP | [DATA_NEEDED: tRP value] | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| 메모리 크기 | — | 8 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.14V to 1.26V |
| VPP Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| 인터페이스 | — | Parallel |
| 실장 유형 | — | Surface Mount |
| 동작 온도 범위 | — | 0°C to +95°C (TC) |
| Refresh Time | — | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C |
| RoHS 상태 | — | Compliant |
| 특징 | — | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |