K4B4G1646D-BCMA0 vs K4B4G1646E-BMMA 比較
詳細な並列比較: K4B4G1646D-BCMA0 メーカー: Samsung Electronics および K4B4G1646E-BMMA メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4B4G1646D-BCMA0 | K4B4G1646E-BMMA |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 製造終了 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $5.90 | $16.08 |
| メモリタイプ | DDR3 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| メモリサイズ | 4 Gb | — |
| メモリ構成 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| データレート | 1866 Mbps | 1600 Mbps |
| 電源電圧 | 1.5 V | 1.35 V |
| 動作温度 | 0°C to 85°C | -40°C to +95°C |
| パッケージ | 96-FBGA | 96-FBGA (9x13 mm) |
| 実装タイプ | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| ハロゲンフリー | Yes | — |
| Lead Free | Yes | — |
| ライフサイクル状態 | EOL | — |
| Technology | DDR3 | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| インターフェース | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| CASレイテンシ | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes (Dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |