K4B4G1646D-BCMA0 vs K4B4G1646E-BMMA Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4B4G1646D-BCMA0 от Samsung Electronics и K4B4G1646E-BMMA от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCMA0 - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | Samsung
K4B4G1646D-BCMA0 ✗ Снят с производства
Сравнение характеристик
| Параметр | K4B4G1646D-BCMA0 | K4B4G1646E-BMMA |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Снято с производства | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $5,90 | $16,08 |
| Тип памяти | DDR3 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Размер памяти | 4 Gb | — |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Скорость передачи данных | 1866 Mbps | 1600 Mbps |
| Напряжение питания | 1.5 V | 1.35 V |
| Рабочая температура | 0°C to 85°C | -40°C to +95°C |
| Корпус | 96-FBGA | 96-FBGA (9x13 mm) |
| Тип монтажа | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Без галогенов | Yes | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Статус жизненного цикла | EOL | — |
| Technology | DDR3 | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Интерфейс | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Задержка CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes (Dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |