K4B4G1646D-BCMA0 vs K4B4G1646E-BMMA 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4B4G1646D-BCMA0 제조: Samsung Electronics 및 K4B4G1646E-BMMA 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4B4G1646D-BCMA0 | K4B4G1646E-BMMA |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 수명 종료 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $5.90 | $16.08 |
| 메모리 유형 | DDR3 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 메모리 크기 | 4 Gb | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 데이터 속도 | 1866 Mbps | 1600 Mbps |
| 공급 전압 | 1.5 V | 1.35 V |
| 동작 온도 | 0°C to 85°C | -40°C to +95°C |
| 패키지 | 96-FBGA | 96-FBGA (9x13 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| Lead Free | Yes | — |
| 수명 주기 상태 | EOL | — |
| Technology | DDR3 | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| 인터페이스 | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| CAS 레이턴시 | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes (Dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |