K4B4G1646D-BCMA0 vs K4B4G1646E-BMMA Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4B4G1646D-BCMA0 por Samsung Electronics e K4B4G1646E-BMMA por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCMA0 - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | Samsung
K4B4G1646D-BCMA0 ✗ Fim de vida
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4B4G1646D-BCMA0 | K4B4G1646E-BMMA |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Fim de vida | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $5,90 | $16,08 |
| Tipo de memória | DDR3 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tamanho da memória | 4 Gb | — |
| Organização da memória | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Taxa de dados | 1866 Mbps | 1600 Mbps |
| Tensão de alimentação | 1.5 V | 1.35 V |
| Temperatura de operação | 0°C to 85°C | -40°C to +95°C |
| Encapsulamento | 96-FBGA | 96-FBGA (9x13 mm) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Livre de halogênio | Yes | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Status do ciclo de vida | EOL | — |
| Technology | DDR3 | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Interface | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Latência CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes (Dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |