K4B4G1646D-BCMA0 vs K4B4G1646E-BMMA Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646D-BCMA0 par Samsung Electronics et K4B4G1646E-BMMA par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCMA0 - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | Samsung
K4B4G1646D-BCMA0 ✗ Fin de vie
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646D-BCMA0 | K4B4G1646E-BMMA |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Fin de vie | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $5,90 | $16,08 |
| Type de mémoire | DDR3 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | 4 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Débit de données | 1866 Mbps | 1600 Mbps |
| Tension d'alimentation | 1.5 V | 1.35 V |
| Température de fonctionnement | 0°C to 85°C | -40°C to +95°C |
| Boîtier | 96-FBGA | 96-FBGA (9x13 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Sans halogène | Yes | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Statut du cycle de vie | EOL | — |
| Technology | DDR3 | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Interface | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes (Dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |